Новий осередок пам'яті, зроблений з дуже вузької графенової наноленти, виготовили європейські вчені.
Унікальні провідні і механічні властивості знаменитого графена - аркуша вуглецю товщиною в один атом - Роман Сордан (Roman Sordan, the Politecnico di Milano) з колегами зі Штутгарта і Лозанни використовував для створення приладів розміром менше 10 нанометрів (ця цифра - межа для розмірів пристроїв на основі кремнію). Площа нового осередку пам'яті настільки мала, що дозволяє домогтися дуже високої щільності запису.
Щоб отримати нову комірку пам'яті, вчені спочатку осадили на графені нановолокна оксиду ванадію (V2O5), потім протравили зразок, опромінюючи його іонами аргону. Аргон видаляє графен, не захищений волокнами. Такий простий спосіб дозволяє створювати вузькі графенові наноленти - менше 20 нанометрів шириною - під нановолокнами, які легко змиваються водою. На відміну від літографії, новий метод дає зразки з гладкими краями, які не порушують характеристик отримуваних приладів.
Змінюючи полярність імпульсів напруги, дослідники перемикали прилад між станами, що відповідають «1» і «0». На роботу пристрою пам'яті впливає поведінка зарядів, що оточують наноленту. Їх утримують молекули води, адсорбовані підкладкою з оксиду кремнію (SiO2), на якій виготовлено пристрій.
Нова графенова нанопамять, запевняють розробники, не тільки дуже маленька, але і дуже швидка. "Крім того, наші осередки пам'яті дуже міцні і універсальні. Їх можна використовувати і як статичну ОЗУ (оперативний запам'ятовуючий пристрій), так і в якості енергонезалежної флеш-пам'яті з ультра високою щільністю запису.